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IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等，單個元件電壓可達4.0KV（pt結(jié)構(gòu)）一6.5KV（npt結(jié)構(gòu)），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。美高森美IGBT模塊/功率模塊/功率半導體模塊

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IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā)，予估近2-3年內(nèi)，會有突破性的進展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。美高森美IGBT模塊全新現(xiàn)貨半導體電子元器件