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  • GB兩單元西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U

    IGBT,絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:GB兩單元
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  • GA一單元 600V/1200V/1700V西門康IGBT模塊分立半導(dǎo)體模塊一單元(1U)

    SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì),可用于20kW至500kW的逆變器。通過多渠道采購的IGBT以及賽米控CAL二極管,這些模塊的規(guī)格可達(dá)到900A和 1700V。憑借超過25年的市場經(jīng)驗(yàn),SEMITRANS封裝提供成熟可靠、久經(jīng)考驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)。西門康IGBT模塊分立半導(dǎo)體模塊一單元(1U)

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:GA一單元 600V/1200V/1700V
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